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簡(jiǎn)要描述：基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型：JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體。
產(chǎn)品品牌：Micro-Hybrid廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2026-02-27訪 問(wèn) 量：1641詳細(xì)介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型
基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型
描述
JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體。
硅濾波器優(yōu)化了從紫外到15.5微米波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射輸出。
作為SMD封裝，JSIR340特別適合自動(dòng)拾放裝配和大批量生產(chǎn)。
我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個(gè)多層熱板膜片，內(nèi)含一個(gè)高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米，基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。
應(yīng)用
l非色散紅外氣體檢測(cè)
l衰減全反射光譜法
l直接紅外光譜法
l光聲光譜法
目標(biāo)氣體
l二氧化碳（CO2）
l甲烷（CH4）
l丙烷（C3H8）
l乙醇（C2H5OH）
l其他紅外活性氣體
特點(diǎn)
l成本效益高的組件
l標(biāo)準(zhǔn)MEMS技術(shù)
lCMOS兼容制造工藝
l有效的自動(dòng)化裝配工藝，采用SMD封裝
l熱板溫度高達(dá)740°C
l適當(dāng)?shù)妮椛漭敵?/span>
l由于熱質(zhì)量低，調(diào)制深度高
技術(shù)參數(shù)
技術(shù)參數(shù) | TO39 open | SMD Si ARC | 單位 |
光譜輸出范圍 | 2 ... 15 | 2 ... 15 | μm |
有效面積 | 2.2 x 2.2 | 2.2 x 2.2 | mm2 |
耐熱1 | 19 ± 5 | 17 ± 5 | Ω |
溫度系數(shù)2 | typ. 1 200 | typ. 1 000 | ppm/K |
時(shí)間常數(shù)0-63% | typ. 13 | typ. 11.5 | ms |
標(biāo)稱功耗3 | 650 | 650 | mW |
工作電壓4 | typ. 3.5 | typ. 3.3 | V |
工作電流4 | typ. 180 | typ. 200 | mA |
推薦驅(qū)動(dòng)模式 | Power mode | Power mode | |
活動(dòng)區(qū)域溫度1,5,6 | 600 ± 30 | 500 ± 30 | °C |
窗口 | open | Si ARC | |
外殼 | TO39 | SMD | |
預(yù)計(jì)使用壽命7,8 | > 5 000 h at 740 °C > 100 000 h at 600 °C | > 5 000 h at 640 °C > 100 000 h at 500 °C | |
絕對(duì)最大額定值 | |||
輸入功率3,5 | 1 000 | 1 000 | mW |
外殼溫度8 | 200 | 200 | °C |
活動(dòng)區(qū)域溫度 | 740 | 640 | °C |
1. 額定功率下的單位
2. 25°C - 700°C
3. 功率開啟狀態(tài)
4. 帶有25Ω熱電阻
5. 環(huán)境溫度為25°C時(shí)
6. 通過(guò)紅外相機(jī)（0.7-1.1μm）測(cè)量的熱點(diǎn)溫度降低10%后的溫度分布平均值
7. 連續(xù)模式下，平均排除故障時(shí)間（MTTF）為63%（膜斷裂，基于阿倫尼烏斯定律的計(jì)算值）
8. 包括環(huán)境溫度
典型操作特性
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機(jī)械制圖
TO39底部
SMD底部
截面圖-TO39 reflector open
截面圖-SMD with filter
產(chǎn)品概述
型號(hào) | 類型 | 填充氣體 | 低溫度 | 最高溫度 | 光圈 | 窗口 |
JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0 | TO39 with reflector | None | -20 °C | 180 °C | 6.0 mm | Open |
JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7 | SMD | None | -20 °C | 85 °C | 5.0 x 5.0 mm2 | Si ARC |
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